Ｌｏ-Ｄ　ＨＡ-５００Ｆ
ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ　ＳＴＥＲＥＯ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ　￥８９，８００
　　　　　　　　　　　　　　　ウッドケースＬＡ-２００￥６，５００別売

１９７５年にローディー（日立）が発売したプリメインアンプ。パワーアンプ部に縦型パワーＦＥＴを
搭載したモデルで，高い素子技術を持つローディーならではの1台でした。

ＨＡ-５００Ｆの最大の特徴は，縦型パワーＦＥＴを搭載したパワーアンプ部でした。ＨＡ-５００Ｆの
パワーアンプ部は，Ｎチャンネル，Ｐチャンネル縦型パワーＦＥＴをプッシュプル純コンプリメンタ
リーＯＣＬ回路で構成されていました。



従来のＦＥＴが横型構造であるのに対し，パワーＦＥＴは縦型構造をしており，電流はゲート間に
ある電位を通り抜けるだけであるため，大電流を扱えるだけでなく，一般のトランジスタのように
キャリア蓄積効果がないという特徴があります。そのため，スイッチング速度が各段に速く，また
高域まで安定してＮＦＢがかけられるため，高域まで位相特性がすぐれています。
高入力インピーダンス，低出力インピーダンスであるため，前 後の回路に影響も与えにくいとい
う特徴も備え，さらに，なめらかなピンチオフ特性を示すため，クロスオーバー歪みやノッチング
歪みなどの発生も本質的に少ないなどの特徴があり，そして，負の温度係数を示すため，熱暴
走を起こしにくく，安全動作領域も広い信頼度の高さももっているなど，多くの優れた点がありま
した。
しかし，ドライブ段から見た場合，(1)デプレッションモードであるために生じる電源投入時，遮 断
時のラッシュ電流によるＦＥＴ破壊の危険。(2)三極管特性であるためドレイン出力抵抗が低く，
電源リップルが負荷に混入しやすい。(3)三極管特性であるため，電源電圧変動により直流バイ
アス点が変動するなどの問題点も持っていました。
そこで，電源ＯＮ，ＯＦＦ時の各段間の遅延回路の必要性や電源の安定化が必要になります。
しかし，それは電源回路の複雑化を招くため，デメリットも出てきます。ＨＡ-５００Ｆでは，トランジ
スタを使ったシンプルなバイアス回路を開発搭載し，問題点をすっきりと克服していました。

初段差動増幅器に新開発の高耐圧低雑音トランジスタを使用し，Ａクラスのドライバー段にはエ
ピタキシャルプレーナ形トランジスタを搭載していました。定電流回路がＡクラス段のゲインを上
げると共に，新しいドライブ回路の開発により，安定した動作で実効出力５５Ｗ＋５５Ｗ（両ｃｈ駆
動・８Ω・１ｋＨｚ），のパワーと０．００８％（１／２実効出力時・１ｋＨｚ）という低歪みを実現していま
した。

イコライザー回路は，初段を高耐圧低雑音のトランジスタを使用した差動増幅器とし，次段はＦＥＴ
として初段のゲインを上げ，３段目をエミッタ・フォロアとして±２電源でドライブすることで，大きな
ダイナミックマージン（４３dB）と低歪率を得ると共に，精度の高い素子と充分なＮＦによりＲＩＡＡ偏
差も±０．３dBと抑えていました。
ＰＨＯＮＯは２系統装備され，ＰＨＯＮＯ-２にはＨＩＧＨ-ＬＯＷのレベル切換が付いていました。

ボリュームコントロールには，左右連動誤差の少ない音量調整ができる２２接点スイッチ式アッテ
ネーターを採用したものが搭載されていました。さらに，加算式３段ゲインセレクターにより音量の
微調整ができるようになっていました。
ＢＡＳＳ，ＴＲＥＢＬＥのトーンコントロール回路には，初段に信号源インピーダンスの高いＦＥＴが採
用され，ＳＮ比の劣化が少ないすぐれた入力回路が構成されていました。そして，トーンディフィート
スイッチも付いていました。ラウドネススイッチも装備されていました。
テープ入出力端子は２系統あり，前面パネルにもＤＩＮ録再端子が装備されていました。
スピーカー出力もＡ，Ｂ２系統あり，Ｂにはレベル調整が付いていました。



以上のように，ＨＡ-５００Ｆは，ローディーが新しい素子縦型ＦＥＴを生かして作り上げた高性能な１台で
した。トランジスタらしいクリアさと，真空管アンプに通じるあたたかさを兼ね備えた音は，ＦＥＴならでは
のものでした。ブランド力故にあまりメジャーにはなりませんでしたが隠れた実力機であったと思います。

◎新素子，縦型パワーＦＥＴを搭載して
 　５５Ｗ＋５５Ｗの出力と
　全高調波歪率０．００８％を実現した
　パワーアンプ部
◎プリアンプ部のイコライザー段は
　差動入力ＦＥＴ−バイポーラトランジスタ の
　３段構成
◎ＦＥＴを初段に使用した
　トーンコントロール回路
◎ボリュームコントロールには
　２２接点スイッチ式アッテネーターを採用
◎異なったスピーカーの比較試聴に便利な
　スピーカーＢレベル調整

●ＨＡ-５００Ｆ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ●



■パワーアンプ部■

回路方式	差動1段全段直結縦型パワーＦＥＴ 純コンプリメンタリーＯＣＬ
実効出力	２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ（両ｃｈ駆動）：５０Ｗ＋５０Ｗ(8Ω） １ｋＨｚ（両ｃｈ駆動）：５５Ｗ＋５５Ｗ（８Ω），５５Ｗ＋５５Ｗ（４Ω） １ｋＨｚ（片ｃｈ駆動）：６０Ｗ/６０Ｗ(８Ω），６０Ｗ/６０Ｗ（４Ω）
全高調波歪率	実効出力時：０．３％ １/２実効出力時：０．００８％
混変調歪率 （７０Ｈｚ：７ｋＨｚ＝４：１）	実効出力時：０．３％ １Ｗ出力時：０．１％
出力帯域幅	５〜３７，０００Ｈｚ
周波数特性	１０〜２０，０００Ｈｚ（＋０．５，−１dB）
入力感度/インピーダンス	１Ｖ（５５kΩ）
出力端子	スピーカー端子：Ａ・Ｂ（４〜１６Ω） 　　　　　　　　　　Ａ＋Ｂ（８〜１６Ω） ヘッドホン端子：４〜１６Ω
ダンピングファクター	５０以上（１ｋＨｚ，８Ω）
Ｓ/Ｎ （ＩＨＦ，Ａネットワーク，入力ショート）	１００dB以上

■プリアンプ部■

回路方式	イコライザーアンプ：差動1段，３段直結　ＦＥＴ使用 コントロールアンプ：初段ＦＥＴ使用　ＮＦ形
入力端子 （感度/インピーダンス）	ＰＨＯＮＯ １  ：２ｍＶ/５０ｋΩ ＰＨＯＮＯ ２  ：２〜５ｍＶ/５０ｋΩ（Ｌｏｗ-Ｈｉｇｈ切換） ＴＵＮＥＲ　　　：１００ｍＶ/５０ｋΩ ＡＵＸ　　　　　：１００ｍＶ/５０ｋΩ ＴＡＰＥ　ＰＢ１：１００ｍＶ/５０ｋΩ ＴＡＰＥ　ＰＢ２：１００ｍＶ/５０ｋΩ ＭＩＣ　　　　　：２ｍＶ/２５ｋΩ
ＰＨＯＮＯ最大許容入力	ＰＨＯＮＯ １：２８０ｍＶ（ＲＭＳ　１ｋＨｚ） ＰＨＯＮＯ ２：２８０〜７００ｍＶ（ＲＭＳ　１ｋＨｚ）
出力端子 （レベル/インピーダンス）	ＴＡＰＥ　ＲＥＣ １・２：１００ｍＶ/１ｋΩ ＴＡＰＥ　ＲＥＣ ２（ＤＩＮ端子）：３０ｍＶ/８０ｋΩ ＰＲＥ　ＯＵＴ：１Ｖ/４．７ｋΩ（定格） 　　　　　　　　６Ｖ/４．７ｋΩ（最大）
周波数特性	ＰＨＯＮＯ（ＲＩＡＡ偏差）：３０〜１５，０００Ｈｚ（±０．３dB）
トーンコントロール	ＢＡＳＳ　　：±１０dB（１００Ｈz) ＴＲＥＢＬＥ：±１０dB（１０kＨz)
フィルター	ＬＯＷ：４０Ｈｚ（６dB/ｏｃｔ）
ラウドネスコントロール （ボリューム−３０dB時）	＋１３dB（１００Ｈz)，＋７dB（１０ｋＨｚ）
Ｓ/Ｎ （ＩＨＦ，Ａネットワーク，入力ショート）	ＰＨＯＮＯ：７５dB ＴＵＮＥＲ，ＡＵＸ，ＴＡＰＥ　ＰＢ：９０dB
アッテネーター	−５，−１０，−２０dB（加算可能）

■使用半導体■

ＦＥＴ	８石
トランジスタ	４２石
ダイオード	３７個

■電源部・その他■

電源電圧	ＡＣ１００Ｖ　５０/６０Ｈｚ
定格消費電力	１７０Ｗ（電気用品取締法）
ＡＣアウトレット	１（電源スイッチ連動），１（非連動）
外形寸法	４３５Ｗ×１４４Ｈ×３８８Ｄmm ４６７Ｗ×１７９Ｈ×４００Ｄmm(ウッドケース使用時）
重量	１２kg

※本ページに掲載したＨＡ-５００Ｆの写真，仕様表等は，１９７５年
　11月のＬｏ-Ｄのカタログより抜粋したもので，日立家電販売株式
　会社に著作権があります。したがって，これらの写真等を無断で
　転載・引用等することは法律で禁じられていますのでご注意くだ
　さい。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
 

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